快资讯:晶界层电容器_对于晶界层电容器简单介绍
来源:互联网     时间:2023-04-12 10:10:11


【资料图】

1、晶界层电容器是以晶界为介质,而以充分半导电化的晶粒为电极的陶瓷电容器。由于晶界很薄,因此具有很高的显介电常数。70年代末进入批量生产的SrTiO3晶界层电容器,在工业水平介电常数>60000,把常规瓷介质的相对介电常数提高数倍至十倍以上。

2、晶界层电容器虽然有很高的相对介电常数,但在-30~+80℃范围内,电容变化率可控制在±40%内,电容器的可靠性也高,因此可制造超小型大容量电容器。

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